IT之家2月25日消息 IT之家去年曾報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正使用其10G1工藝技術(shù)(即19nm工藝)來(lái)制造4GB和8GB的DDR4內(nèi)存芯片，目標(biāo)是在2020年第一季度上市。現(xiàn)在，一名IT之家用戶(hù)就曝光了一款長(zhǎng)鑫內(nèi)存的外觀(guān)和參數(shù)。

上圖清單中列出長(zhǎng)鑫的筆記本和臺(tái)式機(jī)內(nèi)存，容量都是8GB，速率都是DDR4-2666，電壓為，時(shí)序未知。

IT之家曾報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技有限公司已經(jīng)開(kāi)始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前，該公司已經(jīng)制定了至少兩個(gè)10納米級(jí)制造工藝的路線(xiàn)圖，并計(jì)劃在未來(lái)生產(chǎn)所有類(lèi)型的DRAM。不僅如此，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還計(jì)劃再建兩個(gè)晶圓廠(chǎng)來(lái)提高產(chǎn)量。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還將使用同樣的技術(shù)將在2020年下半年制造LPDDR4X內(nèi)存。該公司的技術(shù)路線(xiàn)圖包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5內(nèi)存。

現(xiàn)在京東搜索內(nèi)存條，可以發(fā)現(xiàn)8GB DDR4 2666的價(jià)格已經(jīng)比去年有所升高。